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Si7107DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.050
0.045
0.040
5000
4000
0.035
0.030
0.025
0.020
0.015
V GS = 1.8 V
V GS = 2.5 V
3000
2000
C iss
0.010
0.005
0.000
V GS = 4.5 V
1000
0
C rss
C oss
0
10
20
30
40
50
60
70
0
4
8
12
16
20
5
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
4
3
2
1
0
V DS = 10 V
I D = 15.3 A
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 4.5 V
I D = 15.3 A
0
5
10
15
20
25
30
35
40
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
40
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.05
0.04
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.03
0.02
0.01
0.00
I D = 5 A
I D = 15.3 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 73041
S10-0347-Rev. E, 15-Feb-10
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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